SP6648HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PW₹≠×£M 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 •∏×'650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 1✔®λ•8W 以內(nèi)的(de)方案。SP6648HF 在 PWM♦≥ 模式下(xià)工(gōng)作(zuò)于固定₽€≠♥開(kāi)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內±→(nèi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuòβ‌↑)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以α¥♦♦工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以$§此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(≠$∑→jī)的(de)工(gōng)作(zuò)效率。SP6648HF 在啓動和(hé)♣δ工(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(™✘xiǎo)的(de)電(diàn)流，可™¶(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn♣§)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小₽ β(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償∞>←©電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù& γΩ)工(gōng)作(zuò)于大(dà)×ε占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng‌σ)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leadi♣Ωng-edge blanking time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)& ∑流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)✘€響。SP6648HF 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能(n¶₩α☆éng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)™<λ₩頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)( ≈₹<22KHz)以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)₽✘時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP↕'6648HF 內(nèi)置多(duō)種保護，& 包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP）φ≥，VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫‍£保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(€✘hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de•×)軟啓動控制(zhì)。