SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 P↑₽•WM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 M ±<OSFET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(±•nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下∑>✔£(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín♦$‍)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。★β在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gφ÷ōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工 ♥(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕‌'載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)作(zuò★♦δ)效率。SP6649 在啓動和(hé)工×☆(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yào)很(< hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(l÷€ù)中使用(yòng)一(yī)個(gè)很(h¥↓≠ěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái£Ωα©)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)♠★∏‍時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(dià'$≤↓n)路(lù)，當電(diàn)路(lù)工(gōnπσ§g)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生★>(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(s≠↑♠hí)（Leading-edge blanking time），消¶ →除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(★£de)影(yǐng)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù‍×♣)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de)₩< EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pí§ ↕≈n)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(shàng)，在→π"工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産×​生(shēng)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō)種保護 β✔↕，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP‌'σ），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通¥‍↕✘(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě✔λλ)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EM↓↓"​I 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。