SP6648HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 ≤πPWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yò¶♥ε↓ng)于功率在 18W 以內(nèi)的(de)方‍Ω案。SP6648HF 在 PWM 模式下(xià)工(gōng)作(zuò)于固∞"定開(kāi)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精&¥ 确設定。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 I₹"εC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)​φ色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整‍≥機(jī)的(de)工(gōng)作(zuò)效率。SP6648HF 在啓α‌♦≠動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(β♥ ‌de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)α>±中使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hě'<n)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減∏π小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(γ₩nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電♦∏§(diàn)路(lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比£↔÷時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的($ ∞de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時€ € (shí)（Leading-edge blanking time® ≈&），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(di≠∏àn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP≥£6648HF 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shβ‌ù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系統的↕δ(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)↕α£(22KHz)以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě>'™)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6648HF ♠α內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護↑↑♠（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVL✔£O），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nφ♦♠"èi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě ≤↓)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(d≤π↑e) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。