SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 P¥÷↕βWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yò£≤☆•ng)于功率在 30W 以內(nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下(®↕≥xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(p​☆ín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。在空(kō"€♥¥ng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nè↔₹∑​i)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作 ‍(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)損耗， ☆>♣提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)作(z™☆♦∑uò)效率。SP6649 在啓動和(hé£✔)工(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yà©©o)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流β£，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中α™使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(dà)的δ​✘₽(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(★€jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(l∑"ù)，當電(diàn)路(lù)工(gōng)作(z£​uò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生<α>(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（L§♥δ♣eading-edge blanking time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢σ ¶↓複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lùβ↔)的(de)影(yǐng)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻('♣✘pín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu≤ ☆↔)效改善系統的(de) EMI 性能(n∑ ®↑éng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pí‍δ±✔n)(22KHz)以上(shàng)，在工(gōng)作(z≥>uò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(₽♦✔shēng)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō)種保護，>♥♣包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD∞  過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(σ‌φ♠nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(h"&ǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開×★(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。