SP6518F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性↕£π能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)<<≈☆電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關←σ₩∏電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(shì∞♠α)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(≠  ¥jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達 1♠ 50kHz的(de)開(kāi)關頻(pín♥★♦)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM 等開‌↑>ε(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī₽ '$)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(♥✔÷yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)★φ✘導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉≈∏δ換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(←$↑★de)溫度。

芯片內(nèi)置耐壓80V的(de)NMOSF™☆✘☆ET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，典"♦•>型 RdsON 低(dī)至 10m&Omeg♣€→÷a;，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(y§∑‍φòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le< §)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(z×₽★¥ì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(d≥‍↑§à)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。