SP6516F 是(shì)一(yī)顆高(gāλ<↕αo)性能(néng)的(de)開(kāi)關電(₩≈‍diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電÷®§♥(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，₩σ♦↔是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(π​✔€tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可± ☆λ(kě)支持高(gāo)達 150kHz 的(d₩♥↔®e)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM / Q$♣↕≥R / DCM 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其✘Ω★極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(y≤§uǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōn•✔×g)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(d☆↑e)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度♥↔♥₽。

芯片內(nèi)置耐壓60V 的(de)‌ NMOSFET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)​§‍極低(dī)的(de)內(nèi)阻，典型 RdsON ±←低(dī)至 11mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(yò™₽↑σng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)® 高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(zì)λ↕®供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng€∏÷)範圍。