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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(© ♣βnéng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(l$♣ù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(↔πkāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(n→ε>éng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整'↕λ流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(¶&gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并δσ₩且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電(diàn)源工(♥≤gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)✘€'☆壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基ε φ↔二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le♦∏™€)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了$ε(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSFET 同步整流開±γ ₹(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，典型 RdsOδ≈N 低(dī)至 10mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de"§)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)¶™™高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自$€§✔(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(diàn)源 (2)低(€₹↓•dī)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源 "§; (3)高(gāo)能(néng)效開(kγ↓āi)關電(diàn)源
