SP6638HF 是(shì)一(yī)λ™顆電(diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MO≥§SFET，用(yòng)于功率在 18W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系←±↑統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系©×β統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 ↕$PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gōng)作(zuò)♠ 在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín)率。SP6638HF 的(de)啓≠☆動電(diàn)流和(hé)工(gōng)作(zuò)電(d♠↑←&iàn)流設定的(de)比較小(xiǎo)，以此減 αΩ‍小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功★↔♣‍耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補₩↔∏÷償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēφ≠ ₹ng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu↓π)前沿消隐時(shí)間(jiān)（Le≈&₹ading-edge blanking time），消除緩沖網絡中的↕≠α​(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)∏₩路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu∑•)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統↔₹÷的(de) EMI 性能(néng)。芯片最低(dī¶↕∑Ω)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在→£γ音(yīn)頻(pín)以上(shàng)，在工(gō♠✘ng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音α ✔ (yīn)。SP6638HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過壓​'★保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（U™®‌₩VLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nε≠èi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)™→的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāiπεΩ§)關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP663↔↓8HF 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。