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具備國(guó)內(nèi)先進設備
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SP6639HF
SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式$£₽ PWM 控制(zhì)芯片,內(nèi)置功率 MOSFET,用(yò≠>★ng)于功率在 27W 以內(nèi)的(de)方案。該芯•♦"片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(zuò®&∞£)在跳(tiào)頻(pín)模式,在系統輸出輕載到(dào)中等負載階≥£段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式,在輸π÷£出重載時(shí)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zu©™"Ωò)頻(pín)率。SP6639HF 的(de)啓動電(diàn)≥∏<流和(hé)工(gōng)作(zuò)電>★(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎo),以此減小(xiǎ♣o)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內 ↔∑φ(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù),避免& <↕次諧波振蕩的(de)發生(shēng),§¥∞"改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)(L♣"eading-edge blanking time),消除緩沖網絡中的(d≤'≤e)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響×ε$。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng),能(néng)夠•☆ε有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。芯片 ×↓最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在音(yīn)頻∑¥(pín)以上(shàng),在工(gōng)作(zuò♣↕¥)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yī©&n)。SP6639HF 內(nèi)置多(duōλ§)種保護,包括逐周期限流保護(OCP),過壓保護(OVP),VDD ±過壓箝位,欠壓保護(UVLO),過溫保護(OTP)等,通(tōng)過內α¶≤(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de∏§)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)δ€軟啓動控制(zhì)。SP6639HF 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。
應用(yòng)範圍
(1)充電(diàn)器(qì) (2π®)PDA、數(shù)碼相(xiàng)機(jī)、攝像機(j±≠ī)電(diàn)源适配器(qì)&nbs♥'p; (3)機(jī)頂盒電(diàn)源 (4)開(kāi)放(fàng)框架£•式開(kāi)關電(diàn)源 (5)個(gè)人(rén)電(diàn)腦(•γφγnǎo)輔助電(diàn)源