SP6638HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片 ≥‌≠，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yòng)于功率在 18W 以內(nèi)的(de)方∏φ♦δ案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(tiàφ↔→$o)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(↕ gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在™™☆輸出重載時(shí)工(gōng)作(zuò)在最大×‍™(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín)率。SP6638HF±≤∞> 的(de)啓動電(diàn)流和(hé)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(de)☆₽÷比較小(xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)π☆¶功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(dλ​e)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi'←)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（Leading-edge₩¶∞ blanking time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn§∑)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖Ω±頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)∏€效改善系統的(de) EMI 性能(né‍εng)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pí€ δ£n)率設置在音(yīn)頻(pín)以上(shàng)，在&β₽工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)✘✘↑π。SP6638HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過壓保§€護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護∑"γ≤（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tō☆₩ng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系φ§λ'統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6638H¥♠≠∞F 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。