SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)÷α流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置​Ω↕功率 MOSFET，用(yòng)于功率在 2↔±7W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(k↓'&↕ōng)載時(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕εβ  載到(dào)中等負載階段工(gōng)作(zπβuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gōng)作(β≈§zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín)率。SP66±γ ∏39HF 的(de)啓動電(diàn)流和(hé)工(gōng÷' )作(zuò)電(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎ✔∞o)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de&×)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(≤∞lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，>¥÷改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(×≈yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（Le↕'ading-edge blanking time），σ®≤消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(↑&duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pí§ ₩•n)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI©< 性能(néng)。芯片最低(dī)的(de  §)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在音(y¥•↑γīn)頻(pín)以上(shàng)，在工(gō ≠©✘ng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統✘σ 産生(shēng)噪音(yīn)。SP6639HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周↓•期限流保護（OCP），過壓保護（OVP），VDD γ®過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的' (de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de&®↔Ω) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。S®&‍αP6639HF 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。