SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控制(✘≥"zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yòng)>ε®♠于功率在 27W 以內(nèi)的(de)方案。€∞該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí±₹π☆)工(gōng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到(dào)中™÷等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shíσ★)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò±​♣ )頻(pín)率。SP6639HF 的(de)啓動電(diàn)流和(hé)工(gōng)作(z'‍uò)電(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎo)，​λ©π以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)↓≠‌™斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的↑πλ×(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)≠$前沿消隐時(shí)間(jiān)（Le  ading-edge blanking time），消除緩沖網絡中的(¶'←♣de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影®™(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng)，能(nén♣€g)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。芯片最低₽¥←₩(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(p→§÷ín)以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(&λkě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6639HF 內(nèi)置多(duō)種§∞φ保護，包括逐周期限流保護（OCP），過壓保護（OVP），β∑✔€VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，λ≤通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅≠±≠π動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kā≤φ≥♣i)關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6639HF←© 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。