SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流≠↕¶↕模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yòng)于功€δ£ε率在 27W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gō•<ng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(♦ gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸>∏↑出重載時(shí)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng÷ )作(zuò)頻(pín)率。SP6639HF 的(de)啓動電(diàn)'π £流和(hé)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(♥✔¥de)比較小(xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功∞✘ε€耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)•™↕，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(y‍×♠ǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（Leading-edge blanking ti>∑∏€me），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duσ‌♥αì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻₩♣ ↓(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的σ§(de) EMI 性能(néng)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)™ε頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)以上(shà☆♥ng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産λ±∞生(shēng)噪音(yīn)。SP6639HF 內(nèi)置多(duō)種保護‌δ₹ ，包括逐周期限流保護（OCP），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO）≠£，過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(k₩γγγě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de®®α©)軟啓動控制(zhì)。SP6639HF 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。