SP6518F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(k δ♥āi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù★→ )。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yò✔​π↕ng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)☆∏導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)★♣♠δ的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(p∞ε ín)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電πα©(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)±γβ，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)₹↔→的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，σ✔↕‍極大(dà)提高(gāo)了(le)系統∞σ的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的σ (de)溫度。

芯片內(nèi)置耐壓80V的(de)NMΩ&♦OSFET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極∞α低(dī)的(de)內(nèi)阻，典型 RdsON 低(δ ✔dī)至 10mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(yò≥‌ng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo ↕↔©)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(zì)供電(diàn)×​✔¥技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le ©↕)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。