SP6516F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能£$§(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路 ® φ(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應Ω€用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng) €效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī $)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支$™持高(gāo)達 150kHz 的(de)開(kāi)關> 頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM‍×' 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōn§☆≥✘g)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(sh&↓ēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(dφ∞™✘e)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)₹"¶←系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(leσ₽"")整流器(qì)件(jiàn)的(de) β溫度。

芯片內(nèi)置耐壓60V 的(de)NMOSFET'' 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)​≤"內(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 11mΩ，可(kě)提供λ£±系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(€®∞★nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù≠↔$©)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(zì↓ ↔×)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應∏≠"用(yòng)範圍。