SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng​§δ∑)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制∞β(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(dià↔‌n)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，×↔輕松滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低> €(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片↕‌可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻(p×¥≥ín)率應用(yòng)，并且支持CCM/QR/DCM等開(₩←σkāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuπ'ò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yλ↔uǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損‌§♥耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le•<£)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(n∏™"èi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(kδ©₹♥āi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(✘↔gāo)達3A的(de)應用(yòng)輸出;還(h∑↓ái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(j•∞ì)術(shù)，耐壓高(gāo)達15'♦₩0V;以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(d♥£€à)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng  )範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源  &n ♣bsp; （2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(dià↓≥₽÷n)源 （3） 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源