近(jìn)年(nián)來(lái)，電(di≠σàn)子(zǐ)技(jì)術(shù)的(de)發展，使得(de)電(di ♥àn)路(lù)的(de)工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓越→ ∞'來(lái)越低(dī)、電(diàn)≈≤≤↑流越來(lái)越大(dà)。低(dī)電(di↓↑àn)壓工(gōng)作(zuò)有(yǒu)利于降低(dī)電(diàn)§₹∑π路(lù)的(de)整體(tǐ)功率消耗，但(dàn)也(yě)給電(diàn)源設計(€©​jì)提出了(le)新的(de)難題。開(kāi)關電(d₩ iàn)源的(de)損耗主要(yào)由3部分(fēn)組成：功率開(kāi)關管"δ§的(de)損耗，高(gāo)頻(pín)變壓器(qì)的(de)損耗，輸出端整流管的(de'•∞)損耗。在低(dī)電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流輸出的(de)情況下(®♠♠xià)，整流二極管的(de)導通(tōng)壓降較高(gāo)，輸出端整流管≈Ω ✔的(de)損耗尤為(wèi)突出。

快(kuài)恢複二極管(FRD)或超快(kuài)恢複二極管(SRD)可(kě)達1.0β'§～1.2V，即使采用(yòng)低(dī)壓降的(de)肖特基二極管(SBD)，也(yě)會(σαΩhuì)産生(shēng)大(dà)約0.6π♥V的(de)壓降，這(zhè)就(jiù)導≤ε&緻整流損耗增大(dà)，電(diàn)源效率降低(dī)。 舉例說(shuōφλ±α)明(míng)，目前筆(bǐ)記本電(diàn)腦(nǎo)普遍采用(×‍σyòng)3.3V甚至1.8V或1.5V的(de)$ε供電(diàn)電(diàn)壓，所消耗的(de)電(diàn)流可(kě)達20A。此>"β時(shí)超快(kuài)恢複二極管的(de)整流損耗已接近(jìn)甚至超過電¥Ω♠(diàn)源輸出功率的(de)50%。即使采用(yòn™♣≥∑g)肖特基二極管，整流管上(shàng)的(de)損耗也(yě)會(huì)達到(dào)(18%• ～40%)PO，占電(diàn)源總損耗的(de)60%以上(shàng)。因此，傳統的(de)二→‌極管整流電(diàn)路(lù)已無法滿足實現(xiàn)低(≥&≥dī)電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源高(gāo)✘&>效率及小(xiǎo)體(tǐ)積的(de)需要(₹×"yào)，成為(wèi)制(zhì)約DC/DC變換器(q→♦ì)提高(gāo)效率的(de)瓶頸。