二極管具有(yǒu)單向導電(diàn)性，主要(yào)用(y<αòng)于整流、穩壓和(hé)混頻(pín)等電(diàn)路(lù)中。本文(wén)¶εΩ÷介紹整流二極管和(hé)穩壓二極管的(de)參數(δ₹÷shù)及選擇原則。

(一(yī))整流二極管的(de)主要(yào)參數(shù)

1.IF—最大(dà)平均整流電(diàn)流。

指二極管長(cháng)期工(gōng)作(zuò)時(shí)允許$₹​通(tōng)過的(de)最大(dà)正向平均電(diàn)流。α®≥該電(diàn)流由PN結的(de)結面積和(hé)散熱(rè)條件(jiàn)決定。使用(yòn↕≠g)時(shí)應注意通(tōng)過二極∞←"管的(de)平均電(diàn)流不(bù)能(néng)大(dà)于此值，并要(yào)≈♥∏→滿足散熱(rè)條件(jiàn)。例如(rú)1N4000系列二極管的(de)IF為(w讥₽i)1A。

2.VR—最大(dà)反向工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓。

指二極管兩端允許施加的(de)最大(dà)反向電(diàn)壓。若大(dà  )于此值，則反向電(diàn)流(IR)劇(jù)增，二極管的(de"←)單向導電(diàn)性被破壞，從(cóng)而引起φ↑反向擊穿。通(tōng)常取反向擊穿電(diàn)壓(VB)的(de)一(yī)半作(λᥩzuò)為(wèi)(VR)。例如(rú)1N4001的(de)VR為(wèi)50V，1↔•±♦N4007的(de)VR為(wèi)1OOOV。

3.IR—反向電(diàn)流。

指二極管未擊穿時(shí)反向電(diàn)流值。溫度對(duì)IR的(de)影(♥₹¥yǐng)響很(hěn)大(dà)。例如(rú)1N4000系列二極管在100&d&≥₽‌eg;C條件(jiàn)IR應小(xiǎo)于500uA;在25°C時(shí)≤≥IR應小(xiǎo)于5uA。

4.VR—擊穿電(diàn)壓。

指二極管反向伏安特性曲線急劇(jù)彎曲點的(de)電(diàn)壓值。反向為(wèi)軟特€λ✘"性時(shí)，則指給定反向漏電(diàn)流條件(jiàn)下(xià)的(de)​∑φ‌電(diàn)壓值。

5.tre—反向恢複時(shí)間(jiān)。

指在規定的(de)負載、正向電(diàn)流及最大δ​↑↑(dà)反向瞬态電(diàn)壓下(xià)的(de)反向恢複時(shí)間(jiān)™πλ 。

6.fm—最高(gāo)工(gōng)作(zuò)頻★$$(pín)率。

主要(yào)由PN結的(de)結電(diàn)容及擴散電(diàn)容決€™♠定，若工(gōng)作(zuò)頻(pín)率超過fm，則二極管的(de)單向導電(diàn →')性能(néng)将不(bù)能(néng)很β™∏©(hěn)好(hǎo)地(dì)體(tǐ)​★σ現(xiàn)。例如(rú)1N4000系列二極管的(de)fm為(wèi)3kHz。∞≥

7.CO—零偏壓電(diàn↕¥ £)容。

指二極管兩端電(diàn)壓為(wèi)零時(shí)，擴散電(diàσ‍n)容及結電(diàn)容的(de)容量之和(hé)。值得(de)注意的(de)是(shì)σ₹‍，由于制(zhì)造工(gōng)藝的(de)限制(zhì)，即↔♦使同一(yī)型号的(de)二極管其參數(shù)的(de)離(lí)散性也(yě)很('λhěn)大(dà)。手冊中給出的(de)參數(shù)往往≠"₽是(shì)一(yī)個(gè)範圍，若測試條件(jiàn)改±λ←♠變，則相(xiàng)應的(de)參數(shù)也(✘₩β✔yě)會(huì)發生(shēng)變化(huà)，例如(rú)在$‌ 25°C時(shí)測得(de)1N5200系列矽塑封整✔→₽流二極管的(de)IR小(xiǎo)于1OuA，而在100°C時(∞α☆shí)IR則變為(wèi)小(xiǎo)于500uA。

(二)穩壓二極管的(de)主要(yào)參數(shù)

1.Vz—穩定電(diàn)✔ ®↕壓。

指穩壓管通(tōng)過額定電(diàn)流時(shí)兩端産生(shēng)的(de)穩>✔定電(diàn)壓值。該值随工(gōng)作(zu≤π♣ò)電(diàn)流和(hé)溫度的(de)不×ε≠(bù)同而略有(yǒu)改變。由于制(zh✘•ì)造工(gōng)藝的(de)差别，同一(yī)型号穩壓管的(de)穩壓值也(yě) ♥ ✘不(bù)完全一(yī)緻。例如(rú)εΩ↓，2CW51型穩壓管的(de)Vzmin為(wèi)3.0V, Vzmax則為(wèi)3¥♠‌.6V。

2.Iz—穩定電(diàn)流。

指穩壓管産生(shēng)穩定電(diàn)壓時(shí)通(α<★δtōng)過該管的(de)電(diàn)流值。低(dī)于此值時(s€≠σhí)，穩壓管雖并非不(bù)能(néng)穩壓，但(dàn)穩↔♦<$壓效果會(huì)變差;高(gāo)于此值時(shí)，隻要(yào)不(bù)超✔Ω§✔過額定功率損耗，也(yě)是(shì)允許的(de)，而且穩壓性能(né↓¶®÷ng)會(huì)好(hǎo)一(yī)≠>♠些(xiē)，但(dàn)要(yào)多(duō)消耗電(diàn)能(néng≠ε)。

3.Rz—動态電(diàn)阻。

指穩壓管兩端電(diàn)壓變化(huà)與電(diàn)流變化(h∑≤λ¥uà)的(de)比值。該比值随工(gōng)作(zuò)電(diàn)流的(de)不(bù)同Ω↑< 而改變，一(yī)般是(shì)工(gōng)作(zuò)電(diàn‍ Ω)流愈大(dà)，動态電(diàn)阻則愈小(x ←iǎo)。例如(rú)，2CW7C穩壓管的(de)工(gōng‌♦¥₹)作(zuò)電(diàn)流為(wèiφ∞∞→)5mA時(shí)，Rz為(wèi)18Ω;>∏£工(gōng)作(zuò)電(diàn)流為(wèi)1OmA時(shí)，Rz為(wδ•​èi)8Ω;為(wèi)20mA時(shí)，Rz為(wèi)2Ω ♥;>20mA則基本維持此數(shù)值。

4.Pz—額定功耗。

由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為(wèi)穩定電(diàn¥∏)壓Vz和(hé)允許最大(dà)電(diàn)流Izm的(de)乘積。例如(rú)2C™✔​≤W51穩壓管的(de)Vz為(wèi)3V，Izm為(wèi)20✘♦<'mA，則該管的(de)Pz為(wèi)60mWo 5.Ctv&mda•  sh;電(diàn)壓溫度系數(shù)。是(shì)說(shuō)明(mín£α≈g)穩定電(diàn)壓值受溫度影(yǐng)響的(de)參數(®‌shù)。例如(rú)2CW58穩壓管的(de)Ctv是(shì)+0.07%/&d☆¥∑eg;C，即溫度每升高(gāo)1°C，其穩壓值将升高(gāo♣λ)0.07%。 6.IR— 反向漏電(diàn)流。 ¶€指穩壓二極管在規定的(de)反向電(diàn)壓下(xià)産生(shēng)的(de)漏≈Ω電(diàn)流。例如(rú)2CW58穩壓管的(δ≥de)VR=1V時(shí)，IR=O.1uA;在VR=6V時(shí)，I​₽επR=10uA。

(三)選擇二極管的(de)基本原則

1.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)壓低(dī)&δ♣時(shí)選鍺管;要(yào)求反向電(diàn)流小(xiǎo)時(shí)選矽管"∞。

2.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)流大(dà)時(sh≤σγ♠í)選面結合型;要(yào)求工(gōng)↓" 作(zuò)頻(pín)率高(gāo)時(shí)選點接觸型。

3.要(yào)求反向擊穿電(diàn)壓高(gāo)£ε®∑時(shí)選矽管。

4.要(yào)求耐高(gāo)溫時(shí)選矽管。