近(jìn)年(nián)來(lái)，電(diàn)子(zǐ)技(jì)術α↓>↔(shù)的(de)發展，使得(de)電(diàn)路‍"€(lù)的(de)工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓越來(lái)越低(dī)、電(→₽₽₽diàn)流越來(lái)越大(dà)。低(dī)電(diàn)壓工(gōng)作(zuò)有(♠☆ yǒu)利于降低(dī)電(diàn)路(lù)的(de)整體(tǐ)功率<∞‌$消耗，但(dàn)也(yě)給電(diàn)源設計(jì)提出了(le)新的(φ↓de)難題。開(kāi)關電(diàn)源的(d←>e)損耗主要(yào)由3部分(fēn)組成：功率開(kāi)關管的(de)損耗，高(gāo↔✘™)頻(pín)變壓器(qì)的(de)損耗，輸出端整流管的(de)損耗。在低(dī)電(diàn)βφ壓、大(dà)電(diàn)流輸出的(de)情況下(xià)，整✘☆φ流二極管的(de)導通(tōng)壓降較高(✔¶←gāo)，輸出端整流管的(de)損耗尤為(wèi)突出。

快(kuài)恢複二極管(FRD)或超快(kuài)恢複二極管→≈£☆(SRD)可(kě)達1.0～1.2V，即使采用(yòng)低(dī)壓降的(de)肖 ↔特基二極管(SBD)，也(yě)會(huì)産生(shēng)大(dà)約0.6V<£≤的(de)壓降，這(zhè)就(jiù)導緻整流損耗增大(dà)，電(diàn)源效率δπ降低(dī)。 舉例說(shuō)明(míng)，目前筆(bǐ)記本電(diàn)腦(nǎo)普Ω™遍采用(yòng)3.3V甚至1.8V或1.5V的(de)供電(diàn)電₩₹(diàn)壓，所消耗的(de)電(diàn)流可(kě)達20A。此時(shí)超快(≈λkuài)恢複二極管的(de)整流損耗已 ↔¶&接近(jìn)甚至超過電(diàn)源輸出功率的( •♠de)50%。即使采用(yòng)肖特基二極管，整流管上(shàngα>)的(de)損耗也(yě)會(huì)達到(dào)(18%～40%)PO，占電(diàn€$>)源總損耗的(de)60%以上(shàng)。↔ ≤因此，傳統的(de)二極管整流電(diàn)路(lù)已無法滿足實現(xià₹♣n)低(dī)電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流開(kāi)關'γ✘↕電(diàn)源高(gāo)效率及小(xiǎo)體(tǐ)積的(de)需要(yà↕¥δ™o)，成為(wèi)制(zhì)約DC/DC變換器(δ £qì)提高(gāo)效率的(de)瓶頸。