二極管具有(yǒu)單向導電(diàn)性，主要(yào)用(yòng)于整流、穩壓和 ≈(hé)混頻(pín)等電(diàn)路(lù)中。本文(wén ↕‌)介紹整流二極管和(hé)穩壓二極管的(de)參數(shù)及選擇÷"原則。

(一(yī))整流二極管的(de)主要(yà​∞α÷o)參數(shù)

1.IF—最大(dà)平均整流電(diàn)流。

指二極管長(cháng)期工(gōng)作(zuò) €"λ時(shí)允許通(tōng)過的(de)最大(dà)正向平均電(diàn)流←®♠。該電(diàn)流由PN結的(de)結面積和(hé)散熱(rè)條件(jiàn)>€↓₽決定。使用(yòng)時(shí)應注意通(tōng)過二極管的(de)平均電(diàn)流‍™&‌不(bù)能(néng)大(dà)于此值，并要(®€↔yào)滿足散熱(rè)條件(jiàn)。例如(rú)1N4000系列二極管的(de)IF為(w¶ββ¶èi)1A。

2.VR—最大(dà)反向工(gōng)作(zuò)®€電(diàn)壓。

指二極管兩端允許施加的(de)最大(dàφ ≥¥)反向電(diàn)壓。若大(dà)于此值，則反向電(diàn)流(IR)劇(×→jù)增，二極管的(de)單向導電(diàn)≈★≠ 性被破壞，從(cóng)而引起反向擊穿。通(tōng)常取反向擊穿電♠♠(diàn)壓(VB)的(de)一(yī)半作(zuò)為(wèi×δ♠ )(VR)。例如(rú)1N4001的(de)VR為(wèi)50V，1N4007的(de)VR為"★₹$(wèi)1OOOV。

3.IR—反向電(diàn)流。

指二極管未擊穿時(shí)反向電(diàn)流值。溫度•©對(duì)IR的(de)影(yǐng)響很(hěn)大(dà)。例如(rú≠‌)1N4000系列二極管在100°C條件(jβ€iàn)IR應小(xiǎo)于500uA;在25&d↕δ♣¶eg;C時(shí)IR應小(xiǎo)于5uA&>×。

4.VR—擊穿電(diàn)壓。

指二極管反向伏安特性曲線急劇(jù)彎曲點的(de)電(dΩ♥≥iàn)壓值。反向為(wèi)軟特性時(shí)，則‌♦↓​指給定反向漏電(diàn)流條件(jiàn≠✘÷)下(xià)的(de)電(diàn)壓值。

5.tre—反向恢複時(shí)間(jiān)。

指在規定的(de)負載、正向電(diàn)流及最→♦大(dà)反向瞬态電(diàn)壓下(xià)的($♠de)反向恢複時(shí)間(jiān)。

6.fm—最高(gāo)工(gōng≈ )作(zuò)頻(pín)率。

主要(yào)由PN結的(de)結電(dià‌↕→$n)容及擴散電(diàn)容決定，若工(gōng)作(zuò)頻(pín)率超過✘>fm，則二極管的(de)單向導電(diàn)性能(né₽αng)将不(bù)能(néng)很(hěn)好(hǎo)地(dì)體(tǐ‍♠σ)現(xiàn)。例如(rú)1N4000系列二極管的(<↑de)fm為(wèi)3kHz。

7.CO—零偏壓電(diàn)容。

指二極管兩端電(diàn)壓為(wèi)零時(shí)，擴散電(diàn)容及結電(←♦↕diàn)容的(de)容量之和(hé)。值得(d×≈♠e)注意的(de)是(shì)，由于制(zhì)造工(gōng)藝的(d φe)限制(zhì)，即使同一(yī)型号的(de)二極管其參數(shù)的(de)離(lí"§)散性也(yě)很(hěn)大(dà)。手冊中給出的(de)參數(shù)<↕←₹往往是(shì)一(yī)個(gè)範圍，若測試條件(jiàn)改變，則相 ↔☆÷(xiàng)應的(de)參數(shù)也♥≤(yě)會(huì)發生(shēng)變化(huà)，例如(rú)在25°C時(s©© hí)測得(de)1N5200系列矽塑封整流二極管的(de)IR小(xiǎo)于1OuA，而α☆δ<在100°C時(shí)IR則變為(wèi)小(xiǎo)于©♥500uA。

(二)穩壓二極管的(de)主要(yào)參數(shù)"∑§'

1.Vz—穩定電(diàn)壓。±π

指穩壓管通(tōng)過額定電(diàn)流時(shí)兩端産生(shēng)的(de)穩定電(≥>✘€diàn)壓值。該值随工(gōng)作(zuò)電(♦ ♣♥diàn)流和(hé)溫度的(de)不(bù)同而略有(yǒu)改變。由于制(zhì)造工(g♦$δφōng)藝的(de)差别，同一(yī)型号穩壓管的(de)穩λ®壓值也(yě)不(bù)完全一(yī)緻。例如(rú)，2CW51型穩壓管的(d •§₽e)Vzmin為(wèi)3.0V, Vzmax則為(wèi)∏✔↓₩3.6V。

2.Iz—穩定電(diàn)流。

指穩壓管産生(shēng)穩定電(diàn)壓時(✔↕​₩shí)通(tōng)過該管的(de)電(d​​♣£iàn)流值。低(dī)于此值時(shí)，穩壓管雖并非不(bù)能(né$ ✔€ng)穩壓，但(dàn)穩壓效果會(hu®φσαì)變差;高(gāo)于此值時(shí)，隻要(y‌ →'ào)不(bù)超過額定功率損耗，也(yě)是(shì)允γ"™許的(de)，而且穩壓性能(néng)會(huì)好(hǎo)一(yī)些(xiē)，但(d↓σ₹&àn)要(yào)多(duō)消耗電(diàn)能(néng)。

3.Rz—動态電(diàn)阻。

指穩壓管兩端電(diàn)壓變化(huà)與電(diàn)流變化(huà)的(de)比值。該比值εφ随工(gōng)作(zuò)電(diàn)流的(de)不(bù)同而改變¥&€，一(yī)般是(shì)工(gōng)作(zuò)電(diàφ¥n)流愈大(dà)，動态電(diàn)阻則愈≈÷小(xiǎo)。例如(rú)，2CW7C穩壓管¶•♣±的(de)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流為(wèi)5mA時(s↕×‍hí)，Rz為(wèi)18Ω;工(gō↑σ ng)作(zuò)電(diàn)流為(wèi)1OmA時(shí≠₽♥γ)，Rz為(wèi)8Ω;為(wèi)20mA時(shí)，Rz為(wè'♦i)2Ω;>20mA則基本維持 λπ此數(shù)值。

4.Pz—額定功耗。

由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為(wèi)穩定電(dià™δn)壓Vz和(hé)允許最大(dà)電(diàn)流Iλ§$✔zm的(de)乘積。例如(rú)2CW5πσ1穩壓管的(de)Vz為(wèi)3V，Izm為(wèi)20mA，則該管的(de)↑♠Pz為(wèi)60mWo 5.Ctv—©≈₹™電(diàn)壓溫度系數(shù)。是(shì)說(shuō)明(míng)穩定電(diàn♥‍)壓值受溫度影(yǐng)響的(de)參數(shù)。例如(rú)2CW58穩壓管的(de)Ctv★↑是(shì)+0.07%/°C，即溫度每升高(gāo)1&de™₹g;C，其穩壓值将升高(gāo)0.07%。 6.IR— 反向漏電(•✔↕diàn)流。 指穩壓二極管在規定的(de)反向電(dΩδ iàn)壓下(xià)産生(shēng)的(de)漏電(₽¥diàn)流。例如(rú)2CW58穩壓管的(de)VR=1V時(shí)←'"✔，IR=O.1uA;在VR=6V時(shí)，IR=10uA。

(三)選擇二極管的(de)基本原則

1.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)壓低(dī)時(shí)選鍺管;要(yào<≈)求反向電(diàn)流小(xiǎo)時(shí♥₹)選矽管。

2.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)流大(dà)時(shí)選面結合型;£← δ要(yào)求工(gōng)作(zuò)頻(pín)率高(φφgāo)時(shí)選點接觸型。

3.要(yào)求反向擊穿電(diàn)壓高(gāo)時(shφπ✔↓í)選矽管。

4.要(yào)求耐高(gāo)溫時(sh₽&í)選矽管。