SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PW ∏M 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(g♣©āo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)£♠于功率在 30W 以內(nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM  ÷模式下(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)率，這(γ↓zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(n≤≈èi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng‌π )作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作(zuò ±<)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的∑≥(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)&₽≤​工(gōng)作(zuò)效率。SP6649 在啓動和(hé ≤↓)工(gōng)作(zuò)時(shí)隻需™↔要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn£≈β)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(&§Ω©gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái≈∞)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nè✘•i)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(↑π≤​lù)，當電(diàn)路(lù)工(gōng)¥λ作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(sφ≈hí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩↔¶α定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge blank÷✔✔ing time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)γ φ流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP6649 ↑•♣"采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒ∞Ωu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系☆¥ 統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以 <∏&上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēn$>γg)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周ε '≤期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保↕<護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的✘±γ•(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo×‍)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(↑✔de)軟啓動控制(zhì)。