SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模↓♠式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSF♠βδET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(nèi)的(de)方案。SP6649 在¶φα  PWM 模式下(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)₽↓™↔關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(s♠©₽σhì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作( λ↕ zuò)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作(zuò₹₹±←)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shγπ♦§í)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)作(εσzuò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(∑§yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓♠±動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(d¥∞©♠à)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小( ♠♠&xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償​π電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù☆≥)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(≥ "<de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí ∞)（Leading-edge blanking time），消除緩沖網絡中δ♠↔∏的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電φπ$♦(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻 δ♦(pín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de)δ♠₽​ EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pí★$®n)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(&‍shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shē£  ng)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（O↔∞‍CP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD ✔ 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(d&‌> e)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(←¶±de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動ε‍§控制(zhì)。