SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)ππ•流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應 §用(yòng)于功率在 30W 以內(nèi)的(de)方案。SP6649 ✘≥ 在 PWM 模式下(xià)工(gōng)作☆σ↓∞(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè↑≈ββ)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。在'©&¶空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC ↑✔≤ 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(→☆gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xi•φǎo)輕載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)★♦≈整機(jī)的(de)工(gōng)作(zuò)效率。S♣☆P6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(s‌©×αhí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de>→)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中↓←使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(↕σ±dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(₩₩€shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電α<©(diàn)路(lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)♥Ω♣‌比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(n¶∞èi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge bπ×lanking time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàδ∑♦↕n)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。S÷δ&₩P6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(♣ ♠yǒu)效改善系統的(de) EMI 性<±能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(p ↕$ín)(22KHz)以上(shàng)，在工(gōng)作(≥​zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6649 內(β♠λnèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OL♣αP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護ε  （UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構¥‍​可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(≥>εde)軟啓動控制(zhì)。