SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控制(zhì)÷≈ 芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 3γ•≠&0W 以內(nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下(xià)∏'$​工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(p∞& ✔ín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。≠÷​在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nè∏♥ΩΩi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作(z♠©uò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)∏₹π損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)♥φ♠σ作(zuò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shσγí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn≈∞α♦)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(g∏δ≤è)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiλ♥ǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置₹•有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(l♣→₩ù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，≥↓≤±避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的δ ₹(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge blan≠ ©king time），消除緩沖網絡中的(d&→e)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(dià✔•Ωn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP6649 采用(yòng¥✘¥€)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(®♥yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(p>♠§ín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(§λ₽♦shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shē§'×ng)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō)種♦© ♥保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓♦↔☆β保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），Ωβ∞≈過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)♦'Ω圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(d ©εe)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。  σ★