SP6649 是(shì)一(yī)顆電®←(diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V<‍ 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(≥<$∑nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下<$(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)率，這(→​zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。在空(↑ kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻→<(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gβ✔±ōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此← 來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)λ‌‌的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)作λ>(zuò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作φ☆(zuò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(←εxiǎo)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)♥$πδ路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de≈&$)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)•φ待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(y≥δǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù)工(gōng)作(zuò‌σ∑×)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振÷•≈​蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)↔∑置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge ♠​εblanking time），消除緩沖網絡中的π÷γ¥(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐ$₽ng)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能₽ελ (néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tià✔≠Ωo)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻♦δλ(pín)(22KHz)以上(shàng)，在工(←±λgōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以♦β避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6649 £σ©內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），¶ε↑∑過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP）✔¥₩，VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（λ★OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的πα(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。±→