SP6638HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)©>流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(n§↓ èi)置功率 MOSFET，用(yòng)于功率在 18W 以內(n↑‌èi)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(k↔ ☆ōng)載時(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出→₩輕載到(dào)中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工¥₩(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zu←Ω↓ò)頻(pín)率。SP6638HF 的(de)≈§→∞啓動電(diàn)流和(hé)工(gōng)作∑"(zuò)電(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎo)，以此減'↕≠∑小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補←​償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的β≠✔(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)α↓"↓前沿消隐時(shí)間(jiān)（Leaφ'εding-edge blanking time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複γ®™ε電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(d•₽e)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有Ωσ≥(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(nén∏♠g)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在音(yī<‍n)頻(pín)以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(s₽≈≈hí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP← →6638HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過壓☆∞≠§保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內∑‌(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(₽Ωde)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì±>λ)。SP6638HF 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。