SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控制(zh←∏¶ì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yò‌Ω₹ng)于功率在 27W 以內(nèi)的αλ€(de)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(g∑✘ōng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到(dào)∑β中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gō ¶ng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(≈¶¶pín)率。SP6639HF 的(de)啓動電(diàn)流和(hé)工≤ (gōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(©‌φde)比較小(xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機(πβjī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nè £γ$i)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(d•™¶εe)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐☆"☆時(shí)間(jiān)（Leading-edge blanking time），消除緩沖 Ω©網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)™‍路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻(p←φ♦ín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效"©≤♣改善系統的(de) EMI 性能(néng)•→₽₹。芯片最低(dī)的(de)工(gōng±€ )作(zuò)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(★£pín)以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(s✔>•hēng)噪音(yīn)。SP6639HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保÷✘護（OCP），過壓保護（OVP），VDD 過€™壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)ε‍₩©圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé•←)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6639HF ≤★α♠使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。