SP6606HPS 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控制(zhì£↔£)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET。

SP6606HPS 在 PWM 模式下(xià)工₹>☆→(gōng)作(zuò)于固定頻(pín©α)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定的(de≈↔✘)。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工‍$♠♠(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě♥≈↑)以工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模φ↔π<式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)損耗，提高(✔♣Ω♥gāo)整機(jī)的(de)工(gōngε ♠)作(zuò)效率，SP6606HPS →•∑在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shí)✔'£₽隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流，可(kě)以©₽∞在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī ±₽)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減♠γλ☆小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯 ✔¶β片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(l≥✔÷ù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)•πβ，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(n"£èi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge blankingtim±ε♣e），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì≤™↔↔)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP6606$₩®φHPS 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù♦ε)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(né↔σ♠βng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(p ®εín)率設置在音(yīn)頻(pín)(20KHz)以上(shàng)，在工(g'φ$ōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēn→☆ ±g)噪音(yīn)。SP6606HPS 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護<λ（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（OVP），↕✔¶★VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫$∑ε保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎoπ∞)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zh∞★ε£ì)。