SP6606HPS 是(shì)一(yī)顆電(✔Ω∏diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯¶ 片，內(nèi)置功率 MOSFET。

SP6606HPS 在 PWM 模式下(xià)工(gōng•σ ε)作(zuò)于固定頻(pín)率，這(zhè)個σ←♣(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定的(de)。在空(kōng)↔♦→λ載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 I€Ω≥C 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以₽ 工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以γ↑此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)α γ♣的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)‌ ™工(gōng)作(zuò)效率，SP6606HPS 在啓動和(hé)工(gōng)∑÷£作(zuò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(d✔♣iàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中ε★λπ使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(₩&←™lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。≠ 芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(d☆<₩iàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù)工(gōng)  作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(s÷φhí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(sh♠•λēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu♥λ)前沿消隐時(shí)（Leading-edge blanking>£>‌time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(du' ©​ì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。‌φSP6606HPS 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術∏∞α↓(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(nén<¥÷g)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)Ωφ¶ 頻(pín)(20KHz)以上(shàng)，在工(gōn♦♦g)作(zuò)時(shí)可(kě)以★→避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP660✘£6HPS 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），¥↓€ 過載保護（OLP），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保₽©π 護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(d↕φ☆e)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo₹☆)的(de)改善系統的(de) EMI §$Ω≥特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。