SP6606HPS 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 ≈  PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置功& ‍率 MOSFET。

SP6606HPS 在 PWM 模式下(xià)工(gōng)作(zuò)≈×™♠于固定頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部γ✘≤精确設定的(de)。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻≥↕(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片♣∏可(kě)以工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(®'∏shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(✔→↕gōng)作(zuò)效率，SP6606HPS 在啓動和(ε§πhé)工(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電₽‍(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(∑α≠♦yī)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī) ♥≤&步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)↔$置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diΩ★<àn)路(lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(sh¶φí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(deδ↓ )穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leadingαγ‍-edge blankingtime），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diσ↑©àn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP66 ★©↕06HPS 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能(n©φ≠éng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系≤ 統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(20KHz)以₽✔>∑上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時&±(shí)可(kě)以避免系統産生(shΩεēng)噪音(yīn)。SP6606HPS 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流≤φδ 保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（OVP），VD¶"¶D 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nè↓σi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de  ) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì>♦)。