SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(π™★gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(dπ ★iàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(dià"< ©n)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6φ‌↔ 級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(d★π♠e)超低(dī)導通(tōng)壓降整流$•♥器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可δ&(kě)支持高(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòn∏₹∏g)，并且支持 CCM / QR / DCM &∞γ等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī♣€↔)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(σ♠ ✘xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le€♣♣&)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(♠'qì)件(jiàn)的(de)溫度。

芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSFE₩↓T 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，典型 Rds​¶< ON 低(dī)至 10mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(★£yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置↓↑了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì ∞™)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù) ₽→極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓♥→應用(yòng)範圍。