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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(hu®≥à)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(kā∞δ↔↑i)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(♦δdī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6¶∏ 級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(∏ de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(♥∑φkě)支持高(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻αβ"(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM /↑♣©§ QR / DCM 等開(kāi)關電(diàn)源工(✔επgōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng§®ε)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的♣λ☆(de)導通(tōng)損耗，極大(dà®★<)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換'§效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(☆↔✔"qì)件(jiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(d<e) NMOSFET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)σ±₩的(de)內(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 10mΩ，可(kě)提÷'α♦供系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)§¶∑≥置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì>')術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(zì)供電(di↑φ→♦àn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸↓α出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(dià≥↕≤n)源 (2)低(dī)壓大(dà)δ&電(diàn)流電(diàn)源 (3)高(gāo)能 ♥(néng)效開(kāi)關電(diàn)源
