SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)δ$₹σ性能(néng)的(de)開(kāi)關電(diànΩ<)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(d>​✘∞ī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(y©< òng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想<→$∏的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(≤‍de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pí₹σn)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)¶•≈關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòn☆&βg)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(•®βyuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大₽×♥(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)γα" 了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。

芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSFET 同步整流開(kāi)γ∞↑關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，典型 RdsON 低( ™¥dī)至 10mΩ，可(kě)提供系統高(g↕↕←āo)達 3A 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓&↔直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以∞♠ε及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了₽§☆α(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。