SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)關​♦電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lφ™ù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)™≠源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(sh÷λ£↑ì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(t¶←≈ōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě∞♠ )支持高(gāo)達 150kHz的(de)¶₹ 開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 ™£₽CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò♠↑)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗​™遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(d&€✘e)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高α★‍γ(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整✔$→流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度"γ。

芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) N€±♣MOSFET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻↑≤γ¥，典型 RdsON 低(dī)至 10mΩ，可₩≥(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應↓®∞≈用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高(g₹↔āo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(zì)供電(d✘$→σiàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴Ω<>展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。