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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(kāi♥•λ)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)♠®↔ 。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開↑∏ ∞(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿δ✘∏足 6 級能(néng)效，是(shì)← φ<理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓☆§¥≥降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(∏€kě)支持高(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關γ&£頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電•≠(diàn)源工(gōng)作(zuò)模±Ω式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yu♣£•¥ǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dγ®δ'à)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(l£↑e)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOS¶∑↓≈FET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻↓∞☆，典型 RdsON 低(dī)至 10mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A α≈←≈的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nè±σi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(j★→ ™ì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自™↓σ↑(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大ε$Ω(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。★ σ¶
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(diàn)源 (2)©₽'<低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源 (3)高(gāo)能↓<(néng)效開(kāi)關電(diàn)源
