SP6516F 是(shì)一(yī)顆高(gāo₽↑↕↓)性能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整α‌∏↑流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(πγ dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 σ☆✔↓6 級能(néng)效，是(shì)理(l✔↑>ǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)β≥÷≠壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(g♠∞​āo)達 150kHz 的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CC$★♥M / QR / DCM 等開(kāi)關電®‌€€(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōnλ± ‌g)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yu"σ&ǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極σ∑"•大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)₩λ↑÷整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。

芯片內(nèi)置耐壓60V 的(de)NMOSFET 同♥↕♥步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，典¥βε"型 RdsON 低(dī)至 11mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3<‌‌​A 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高(±☆>gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200₩<V；以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸₽♠出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。