SP6516F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)關電♣™(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大∑→€☆(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6∑σ 級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de$↕α)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案§λ©λ。芯片可(kě)支持高(gāo)達 150kHz 的(d™←e)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM™♣∞± 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(z÷λ≠uò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)$"壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小δ±±‍(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le×¥×λ)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(q¥×α×ì)件(jiàn)的(de)溫度。

芯片內(nèi)置耐壓60V 的(de)NMOSFET 同步整流開(k↓ āi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的♦ Ω(de)內(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 11mΩ，可(kě)提供系£α統高(gāo)達 3A 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le✘'∞←)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以☆✔↕及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)↓β輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。