SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(k↑₩>āi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(ε÷→εdiàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應&∞用(yòng)中，輕松滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)¥♥∏導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方 "案。芯片可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi±λ)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持CCM/QRΩ♥/DCM等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuòγπ¶)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損★φπ耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通☆★÷(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(÷♣★dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(n'γ ∏èi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dīφ>≠¥)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(gāo)達3A的(de)應用(yò≈δ​γng)輸出;還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(δ"γ←shù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(™←↔βshù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yò¶♠ ≥ng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源  &n♠α'bsp; （2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源 （3） 高(gā♥↔o)能(néng)效開(kāi)關電(diànα×↓)源