SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的 λ≤(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側♠≤同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù∑₽→)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yò•γ∑☆ng)中，輕松滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(×λε∞dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn•♠)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻(∑→pín)率應用(yòng)，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(diàn)™←ε源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēnγ≥☆≈g)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)γ$導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(ε✔gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jγ ₽<iàn)的(de)溫度。芯片內(nèi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(kāi)'δ∏™關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(πφnèi)阻，可(kě)提供系統高(gāo)達3A的(d∏♥∑&e)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術≥‍(shù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì)≠ε§供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(y£→òng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源&n∏π§φbsp;   （2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源 （3） 高(λ₩≤‌gāo)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源