SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開 ≈£(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lùσ∞÷♥)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāε§₹i)關電(diàn)源應用(yòng)中​α，輕松滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通≥↔ (tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(d"∏₽e)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻(pín)率♠→♦應用(yòng)，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關☆×電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tō£•∑÷ng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特≈λ基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系→≠統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的( ♦de)溫度。芯片內(nèi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整• 流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(§≈gāo)達3A的(de)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置δε了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達150V;®↔以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴£$♥ 展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源    （2）低(dī♠‍)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源 （3） 高(®∑δ₹gāo)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源