SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的↔α≈(de)開(kāi)關電(diàn)源次♠♥級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在α​•✘低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàφ↔↓>n)源應用(yòng)中，輕松滿足6級能(néng)效，是(♥×shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī'£)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de∑↑<)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi)♠δ關頻(pín)率應用(yòng)，并且支φ ‍持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作₩←≤ (zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de₹±  )損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(α​≠de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(d∏↓à)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(nèi' )置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(kāi)關，且具有(±♠σyǒu)極低(dī)的(de)內(nèiΩ'←•)阻，可(kě)提供系統高(gāo)達3A∏✔÷的(de)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置了§±(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達150V;以及φ ≈自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(leγ←→β)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源&nbs≥÷p;   （2）低(dī)壓大(₩₹₹dà)電(diàn)流電(diàn)源 （3）≤ "¥ 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(di$βàn)源