SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de' ♠∞)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)©​電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)¥∞關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足6級能(nén$∏≤g)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件λ∏♣γ(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(g±♦āo)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng∏•‌)，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)β♥↓作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(dδεe)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de✘→®φ)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)↔&∏£轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。芯片®≤內(nèi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(kāi)關，且具有☆©(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高('φ>gāo)達3A的(de)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)↔€♠↑壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì)供電(diàn<​)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(↔¶←₽le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源  &nb☆λ$sp; （2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源 （3）&∏' 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源