SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)開(kδ©♣λāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(dα₩€ī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(↓€∏≠diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足6級能(néng)效，↔α$是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng∞π¥)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)α¶α£支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，®Ωε并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(diàn)源工↓₹(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産 σ←>生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基∏≤二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(•×∑de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(§±‍le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(nèi)置耐壓60V的(d ↑σ&e)NMOSFET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)γβ極低(dī)的(de)內(nèi)阻，可<€←(kě)提供系統高(gāo)達3A的(de)應用(yòng)輸γ $出;還(hái)內(nèi)置了(le)™↓♥高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì)供電(d✘≥δiàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le↓£)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源    ♦∏γ（2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(di✔≤ àn)源 （3） 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電Ω ↓π(diàn)源