5G小(xiǎo)基站(zhàn)是(shì•₩)實現(xiàn)5G網絡覆蓋的(de)關鍵組成部分(fēn)，一(yī)般應用(yòng)™∏≠在流量需求大(dà)的(de)熱(rè)點區(₽πqū)域，如(rú)大(dà)型商場(chǎng)等。目前各運營商都₹☆(dōu)在進行(xíng)5G基礎設施，未來(lái)将實現(xiàδ✔↑<n)5G網絡環境的(de)覆蓋，極大(dà)地(dì)改善人(rén)們的(de) ♦Ω使用(yòng)體(tǐ)驗。

5G小(xiǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)中，當然也(yě)離(lí)≥£不(bù)開(kāi)傳統的(de)功率器(qì)件(jiàn)的(de)需求，例如($ε ☆rú)大(dà)電(diàn)流的(de)MOS管等。本文(wén)推薦安森(sēn)德的(d₩•<≈e)N溝道(dào)MOS ASDM100R06✔≠6NQ，應用(yòng)在小(xiǎo)§σ£δ基站(zhàn)的(de)設計(jì)中，耐壓可(kě)以達到(÷πdào)100V，導通(tōng)電(diàn)流達到(dào)68A。

ASDM100R066NQ用(yòng)在5G小(xiǎo)基站(zhàn)的γγ(de)設計(jì)中有(yǒu)以下(xià)特點：

1、導通(tōng)電(diàn)阻5.9mΩ，采用(yòng)了(le)&∞先進的(de)溝槽技(jì)術(shù)和(hé)設計(jì)，能(néng)夠提↕←♦供非常低(dī)的(de)導通(tōng)電(diàn)阻，有(yǒu)利于産品整體(tǐ)設計(÷♦ jì)。

2、漏極飽和(hé)電(diàn)流為(wèi)68A，最大(dà)脈沖電(diàn)流可(₹Ωkě)以達到(dào)140A，可(kě)以β&滿足大(dà)電(diàn)流應用(yòn $₽g)的(de)設計(jì)。

3、零栅壓漏極電(diàn)流為(wèi)1μA，↔±•有(yǒu)利于産品低(dī)功耗的(de)設計(jì)。

4、耗散功率最大(dà)為(wèi)108W。$ε

5、工(gōng)作(zuò)結溫和(hé)存儲溫度範圍為(w≥σ£​èi)-55℃至155℃，可(kě)以滿足小(xiǎo)基站(zhàn)設計(jì)的(de)環​₩境要(yào)求

6、采用(yòng)DFN5X6-8的(de)封裝，散熱(rè)性能(✔↔α'néng)好(hǎo)，占用(yòng)空"≤‌‍(kōng)間(jiān)小(xiǎo)。

總的(de)來(lái)說(shuō)，安森(sēn)德ASDM100R066NQπ>σ應用(yòng)穩定，具有(yǒu)高(gāo)功率密度、輸出線性好←π(hǎo)、能(néng)效高(gāo)、溫升低(dī)等優勢，不(bù)僅©←✘能(néng)夠從(cóng)參數(shù)各方面适用(yòng)于5G小(x≥""<iǎo)基站(zhàn)，而且在使用(yòng)方面還(hái)能(∏λε÷néng)完美(měi)替代ST的(de)STB100N10F7場(chǎng$​)效應管。